長鑫存儲技術
商号 | CXMT |
|---|---|
現地語社名 | 长鑫存储技术有限公司 |
ラテン文字名 | Chángxīn Cúnchǔ Jìshù Yǒuxiàn Gōngsī |
以前の社名 |
睿力集成电路有限公司 [1] Hefei Chang Xin Hefei Rui-li Integrated Circuit Manufacturing |
種類 | 公開会社 |
| 市場情報 | SSE: 688825 |
| 業種 | 半導体産業 |
| 設立 | 2016年 |
| 創業者 | 朱一明 |
| 本社 |
、 中国 |
主要人物 | 董事長：朱一明 |
| 製品 | DRAM |
| 所有者 |
合肥清輝済電企業管理合伙企業 19.50% 合肥長鑫集成回路 10.54% 国家集成電路産業投資基金 7.86% 合肥晋鑫企業管理咨詢合伙企業 7.53% |
従業員数 | 19,298 (2025)[2] |
| ウェブサイト |
www |
| 長鑫存儲技術 | |||||||
| 簡体字 | 长鑫存储 | ||||||
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長鑫存儲技術股份有限公司（ちょうきん そんちょう ぎじゅつ、チャンシン・ツンチュー・ジシュ・グーフェンヨウシエンゴンシー、中国語: 长鑫存储技术股份有限公司、英語: ChangXin Memory Technologies、CXMT）は、安徽省合肥市に所在する中華人民共和国の半導体企業。同国最大のDRAMメーカーである。
2020年時点で、CXMTは19nmプロセスでLPDDR4およびDDR4メモリを製造しており、月産能力は4万ウェーハであった[3]。2025年末までに、同社は四半期あたり72万枚のウェハーを生産していた[4]。2026年時点で、同社は中国最大、世界第4位のDRAMメーカーである。
2025年、DDR5 DRAMを発表、2026年、生産設備の更新や先進的なDRAMの研究開発に必要な資金を調達するため、上海証券取引所に上場した[5]。
歴史
[編集]合肥長鑫は、福建省の福建省晋華集成電路（JHICC）や西安紫光国芯半導体（Xi'an UniIC Semiconductors）などと共に、世界のコンピュータメモリメーカーに対抗するため2016年に設立された半導体工場のひとつである[6][7][8]。2017年には、12インチ（300mm）ウェハを月産12万5,000枚製造する工場の建設に向けて、72億ドル規模の契約を発表[9]、工場は2017年中頃までに完成し[7]、2017年後半には工場に製造装置が搬入された。試作および量産の開始は2018年後半から2019年前半にかけて予定されていた[10][11]。2018年には、董事長の朱一明がASMLを訪問し、極端紫外線リソグラフィ装置の購入について協議したと報じられた[11]。
当初、Innotronは最初の製品として8GBのLPDDR4メモリを選択したと考えられていた。当時のアナリストらの評価は、特許および知的財産権の問題が大手メーカーとの競争における障壁になるというものであった[7]。2018年中頃には、19nmプロセスによる8GB LPDDR4の試作が開始されたと報じられた[12]。当初の生産能力は月産約2万枚であり、業界全体から見れば小規模な生産量であった[6]。
2019年、商号を長鑫存儲技術に変更。同年、米中貿易戦争に起因する技術関連の制裁を回避する試みとして、設計にいくつかの変更を加えたと報じられた[13]。2019年12月、EEタイムズのインタビューに対し、同社は最初のファブが稼働しており、19nmプロセスによる8GB LPDDR4およびDDR4 DRAMを月産2万枚の規模で生産していると述べた[1]。
同社は、2025年第1四半期時点で世界のDRAM生産量の6%にまで生産を拡大し、2025年第4四半期までに10%へ引き上げることを目指していると報じられた[14]。また、2025年の初頭頃からDDR5 SDRAMの販売を開始した[15]。
ロイターは2026年9月18日、NAND型フラッシュメモリへの参入を準備していると報じた[16]。
企業構造と上場
[編集]2026年の新規株式公開（IPO）目論見書において、発行体は「長鑫科技集団股份有限公司（ChangXin Technology Group Co., Ltd.）」であり、英語名としては「CXMT Corporation」とも称されることが示されている。同目論見書では、同社には支配株主および実質的支配者が存在しないことが明記されている。また、保有割合が5%を超える5者の主要株主として、合肥清輝済電企業が21.67%、合肥長鑫集成回路が11.71%、国家集成電路産業投資基金第2期が8.73%、合肥集鑫が8.37%、安徽省投資集団が7.91%を保有していることが記載されている[17]。ロイターによれば、合肥市政府に関連する投資家が同社の36.8%を保有しているとされる[18]。
ロイター通信は2025年12月、CXMTが上海証券取引所における106億株の新規株式公開を通じて295億元を調達する計画であると報じた[5]。目論見書では、計画されている上場について、上海証券取引所科創板（STARマーケット）における人民元建て普通株の公開であり、オーバーアロットメントオプションを行使する前の発行済み株式総数の少なくとも10%を一般公募に充てる旨が記載されている[17]。2026年6月、中国証券監督管理委員会（CSRC）はIPOの登録を承認し、この承認は登録日から12か月間有効とされている[19]。
目論見書には、調達予定の手取金は3つのプロジェクトに割り当てられる予定であると記載されている。その内訳は、メモリウェハ生産ラインの技術アップグレードに75億元、DRAMメモリ技術のアップグレードに130億元、そして次世代を見据えたDRAMの研究開発に90億元となっている[17]。ロイターは、このIPOがその年の中国国内最大規模であり、本土のハイテク株上場における広範な回復基調の一環をなすものと伝えた[20]。
AIメモリチップへの爆発的な需要を背景に投資家が殺到した結果、2026年7月27日の上海市場における初日取引でCXMTの株価は約500%も高騰した。公開価格の8.66元に対し、初値は49.50元（7.30米ドル）を記録している[21]。
アメリカ合衆国による制裁
[編集]2022年、 2023年度国防授権法が成立し、アメリカ合衆国連邦政府はCXMT製チップの購入および使用を禁止された[22]。2024年3月、ブルームバーグ・ニュースは、アメリカ合衆国商務省産業安全保障局（BIS）がCXMTに対する制裁を検討していると報じた[23]。 2026年6月、米国防総省はCXMTを中国軍関連企業のリストに追加した[24]。
事業と製品
[編集]2026年現在、同社は中国最大のDRAMメーカーであり、世界第4位の規模を誇る[18]。ロイターは2025年12月、CXMTは北京市と合肥市に3つの12インチDRAM製造工場を運営していると報じた。目論見書によれば、同社は第4世代のDRAM技術を開発し、2025年第2四半期時点で世界DRAM市場の4%を占めていた。また、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロン・テクノロジーの3社が市場の90%以上を占めている[5]。2026年9月までに、CXMTの市場シェアは世界DRAM市場の10%にまで上昇した[25]。
CXMTのウェブサイトには、DDR5 およびDDR5モジュール製品、LPDDR5およびLPDDR5X製品、DDR4およびDDR4モジュール製品ならびにLPDDR4X製品が掲載されている[26]。ロイターによれば、同社は2025年11月に最新のDDR5 DRAMチップを発表し、上海での新規株式公開（IPO）で調達した資金を、生産ラインのアップグレード、先進DRAMの開発、および製品ラインの拡充に充てる計画である[5]。
また同社は、人工知能（AI）プロセッサ向けに用いられる特殊な形態のDRAMである広帯域メモリ（HBM）にも投資を行っている。CXMTは上海市のHBMバックエンドパッケージング施設において、2026年末までの生産開始を目指していた[5]。2026年9月時点で、同社はHBM3Eの低歩留まりリスク生産（少規模な試産）を開始している[27]。
2026年5月、ロイターは更新された目論見書を基に、CXMTの上半期売上高が1,100億〜1,200億元規模になる見通しであると報じた。第1四半期の売上高についても、DRAM価格の上昇や生産増、製品群の拡充を背景に、前年同期比700%以上増の508億元を記録したとしている[28]。
知的所有権侵害
[編集]CXMTは複数の知的所有権侵害の疑惑に関与しているとされているが、これらの疑惑はいずれもまだ証明されていない。2023年には、サムスンの営業秘密を盗んだ疑いで、サムスンの元従業員10人が逮捕された。盗まれた技術は、サムスンが5年間にわたり10億ドル以上の費用を投じて開発したものであった。当時、10nmクラスのDRAMを量産できる技術はサムスンの10nmプロセスノードが唯一であった。CXMTはこれらサムスンの元従業員を引き抜いたとされ、その内1人はのちに同社の開発トップに据えられている。流出したとされる営業秘密のおかげで、CXMTは莫大な時間とコストを要する開発プロセスの大部分を省略できたと指摘されている[29]。
関連項目
[編集]Notes
[編集]脚註
[編集]- 1 2 Yoshida, Junko (3 December 2019). “ChangXin Emerging as China's First & Only DRAM Maker”. EE Times. 2019年12月8日時点のオリジナルよりアーカイブ. 2026年6月27日閲覧.
- ↑ “长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书” (中国語). 上海証券取引所 (2025年12月30日). 2026年8月31日閲覧。
- ↑ Mellor, Chris (2020年10月13日). “Micron said to be mulling action against Chinese DRAM maker CXMT – report”. Blocks & Files. 2021年8月16日時点のオリジナルよりアーカイブ. 2021年8月16日閲覧.
- ↑ “China's CXMT and YMTC boost DRAM and NAND production, disrupting global market”. CHOSUNBIZ (2025年7月20日). 2025年7月20日閲覧。
- 1 2 3 4 5 Pan, Che; Goh, Brenda (31 December 2025). “China's CXMT eyes $4.2 billion Shanghai listing to fund DRAM expansion”. Reuters. 2026年6月27日閲覧.
- 1 2 Shilov, Anton (25 Apr 2018), “Chinese DRAM Industry Spreading Its Wings: Two More DRAM Fabs Ready”, www.anandtech.com, オリジナルの4 January 2019時点におけるアーカイブ。 2019年1月4日閲覧。
- 1 2 3 “The Three Major Chinese Memory Companies Arrange Trial Production to Begin in 2H18 and Formal Production in 2019, Says TrendForce”, trendforce.com, (19 Apr 2018), オリジナルの4 January 2019時点におけるアーカイブ。 2019年1月4日閲覧。
- ↑ “China set to produce first locally designed DRAM chip”. Nikkei Asian Review. 12 June 2019. 2020年5月15日時点のオリジナルよりアーカイブ. 2020年5月15日閲覧.
- ↑ “China firms to invest CNY18 billion to develop 19nm DRAM technology”, chinaflashmarket.com, (31 Oct 2017)[リンク切れ]
- ↑ Roos, Gina (26 Apr 2018), “Three Chinese Companies to Start Memory IC Production in 2018”, epsnews.com, オリジナルの4 January 2019時点におけるアーカイブ。 2019年1月4日閲覧。
- 1 2 Ting-Fang, Cheng (22 Oct 2018), “Chinese state-backed chipmaker targets Europe amid US resistance”, nikkei.com, オリジナルの4 January 2019時点におけるアーカイブ。 2019年1月4日閲覧。
- ↑ Manners, David (19 July 2018), “China memory production gets closer”, www.electronicsweekly.com, オリジナルの4 January 2019時点におけるアーカイブ。 2019年1月4日閲覧。
- ↑ Ting-Fang, Cheng (12 June 2019), “China set to produce first locally designed DRAM chip - Changxin Memory minimizes US tech to avoid trade war fallout”, Nikkei, オリジナルの15 February 2020時点におけるアーカイブ。 2020年2月14日閲覧。
- ↑ “CXMT Boosts DRAM Production by 50% in China”. Businesskorea (2025年6月20日). 2025年7月20日閲覧。
- ↑ AleksandarK (30 January 2025). “CXMT Ships 16 nm G4 DDR5 Memory in Commercial DDR5-6000 Kits”. TechPowerUp. TechPowerUp. 2025年12月19日閲覧.
- ↑ “中国半導体CXMT、「NAND」に参入準備 ロイター報道”. 日本経済新聞. 2026年9月18日. 2026年9月18日閲覧.
- 1 2 3 “ChangXin Technology Group Co., Ltd. prospectus for initial public offering and STAR Market listing” (中国語). Shanghai Stock Exchange (2026年5月17日). 2026年6月27日閲覧。
- 1 2 Yao, Kevin; Baptista, Eduardo; Wu, Kane (23 July 2026). “Chipmaker CXMT debut spotlights China's state-funded path to tech power”. ロイター. 2026年7月25日閲覧.
- ↑ “Reply approving the registration of ChangXin Technology Group Co., Ltd.'s initial public offering” (中国語). China Securities Regulatory Commission (2026年6月5日). 2026年6月27日閲覧。
- ↑ Wu, Kane; Ngui, Yantoultra (26 June 2026). “Chinese AI, chip firms are driving an onshore IPO rebound”. Reuters. 2026年6月27日閲覧.
- ↑ “Chinese chipmaker CXMT soars almost 500% in market debut”. FT. 27 July 2026. 2026年7月27日閲覧.
- ↑ “US adds 36 Chinese companies to trade blacklist”. フィナンシャル・タイムズ. 2022年12月15日. 2023年10月13日時点のオリジナルよりアーカイブ. 2022年12月17日閲覧.
- ↑ “US mulls blacklisting CXMT to curb China's chip advance, Bloomberg News says”. ロイター. 9 March 2024. 2024年3月9日閲覧.
- ↑ Martina, Michael; Shepardson, David; Baptista, Eduardo (June 8, 2026). “US says BYD, Baidu, Alibaba and other tech giants are aiding China's military”. ロイター. 2026年6月10日閲覧.
- ↑ “Global DRAM and HBM Market Share: Quarterly” (英語). Counterpoint Research (2026年9月2日). 2026年9月2日閲覧。
- ↑ “Products”. CXMT. 2026年6月27日閲覧。
- ↑ “China’s CXMT Makes Breakthrough in Advanced Memory Chips” (英語). The Information (2026年8月31日). 2026年8月31日閲覧。
- ↑ Pan, Che; Chen, Laurie (18 May 2026). “China's CXMT expects revenue to surge as memory chip demand soars”. Reuters. 2026年6月27日閲覧.
- ↑ Jacobs, Skye (2025年12月26日). “Ten former Samsung employees charged over DRAM technology leak to China”. Techspot. 2026年6月13日閲覧。